GW INSTEK – PEL-2002B – Neuf

L’ITECH IT-M3312 est une charge électronique régénérative DC compacte, conçue pour simuler diverses caractéristiques de charge tout en réinjectant l’énergie absorbée dans le réseau électrique, évitant ainsi la dissipation thermique excessive.

Caractéristiques principales :

• Puissance maximale : 200 W
• Tension d’entrée : 0 à 60 V
• Courant d’entrée : 0 à 30 A
• Modes de charge : CC (Courant Constant), CV (Tension Constante), CP (Puissance Constante), CR (Résistance Constante), ainsi que des combinaisons telles que CV+CC, CC+CR, CV+CR, CV+CC+CP+CR
• Dimensions : Format 1U demi-rack, offrant une haute densité de puissance
• Efficacité de régénération : Haute efficacité de réinjection de l’énergie dans le réseau
• Connectivité : Interfaces optionnelles incluant RS232, CAN, LAN, GPIB, USB et RS485
• Fonctions supplémentaires :
  • Contrôle indépendant de plusieurs canaux avec synchronisation et suivi proportionnel
  • Possibilité de connecter jusqu’à 16 unités en parallèle
  • Temps de montée/descente du courant ajustable
  • Programmation de listes
  • Mesure à haute vitesse avec une mise à jour 10 fois par seconde, même avec 16 unités connectées
  • Diverses protections telles que OCP (Protection contre les surintensités), UCP (Protection contre les sous-intensités), OVP (Protection contre les surtensions), UVP (Protection contre les sous-tensions), OPP (Protection contre les surpuissances), protection contre la surchauffe, protection contre les défauts du réseau et stockage des défauts
  • Fonction de mesure de température avec protection contre la surchauffe
  • Détection automatique de l’état du réseau pour une connexion fiable
  • Fonction de précharge pour éviter les surtensions de courant lors de la charge DC
  • Protection anti-inversion en option avec le module IT-E118

Ces caractéristiques font de l’IT-M3312 une solution efficace pour des applications telles que les tests de décharge de batteries, les tests de sources d’alimentation multi-canaux et les tests d’endurance pour le vieillissement des semi-conducteurs.